LNBTVS4-221技术参数详情：
LNBTVS4-221是ST意法半导体推出的一款高性能单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，隶属于LNBTVS系列。该器件采用齐纳原理，专为吸收和钳制破坏性电压瞬变而设计，为核心电路提供稳健的过压保护。
其核心参数体现了强大的保护性能：具备20V的反向断态工作电压，22V的最小击穿电压，并能将瞬态高压严格钳位在最高32V的安全水平。最突出的特点是其高达2000W的峰值脉冲功率和331A（8/20s）的浪涌电流处理能力，确保能够应对严苛的瞬态能量冲击。器件采用DO-201AA轴向封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于广泛的通用型保护应用场景。
- 型号:LNBTVS4-221
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DO-201
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 20VWM 32VC DO201
- 包装:带盒（TB）
- 产品状态:停产
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:20V
- 电压 - 击穿（最小值）:22V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:32V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):331A（8/20s）
- 功率 - 峰值脉冲:2000W（2kW）
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向
- 供应商器件封装:DO-201
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