STGWA40H60DLFB技术参数详情：
STGWA40H60DLFB是意法半导体HB系列中的一款有源沟槽型场截止IGBT。该器件核心规格为600V集射极击穿电压与40A集电极电流，在7V栅极驱动、40A集电极电流条件下，其最大饱和压降（Vce(on)）仅为2V，有效降低了导通损耗。
器件采用TO-247-3通孔封装，最大功耗为283W，并支持高达175°C的结温运行，确保了在严苛环境下的高可靠性与稳定性。这些特性使其成为中等功率工业驱动与能源转换应用的优选功率开关解决方案。
- 制造商产品型号：STGWA40H60DLFB
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT TRENCH 600V 40A TO247
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：HB
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：40A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：-
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2V @ 7V，40A
- 功率-最大值：283W
- 开关能量：-
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：-
- 25°C时Td（开/关）值：-
- 测试条件：-
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
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