M36DR432AD10ZA6T技术参数详情：
M36DR432AD10ZA6T是ST意法半导体生产的一款32Mb（2M x 16）并行接口闪存芯片，采用66-LFBGA封装，支持表面贴装。该器件基于非易失性闪存技术，确保数据在断电后持久保存。
其核心特性包括100ns的快速访问时间、1.65V至2.2V的宽电压供电范围以及-40°C至85°C的工业级工作温度范围，适用于对性能和可靠性有较高要求的嵌入式存储应用。该芯片通过并联接口实现高效数据传输，适合集成到各类微处理器系统中。
- 型号:M36DR432AD10ZA6T
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:66-LFBGA（12x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 66LFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存
- 存储容量:32Mb
- 存储器组织:2M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:100 ns
- 电压 - 供电:1.65V ~ 2.2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:66-LFBGA
- 供应商器件封装:66-LFBGA（12x8）
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