STL13NM60N

STL13NM60N是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II系列。该器件采用先进的超结技术，核心优势在于优异的开关性能与导通特性的平衡。

其关键参数包括600V的漏源电压（Vdss）和10A（Tc）的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实基础。更突出的特性是低至385毫欧（@5A,10V）的导通电阻（Rds(on)）与仅30nC（@10V）的栅极电荷（Qg），这一组合显著降低了功率损耗，有助于提升系统效率与功率密度。器件采用散热优化的PowerFlat HV表面贴装封装，支持高达150°C的结温，确保了在紧凑空间内的可靠运行。

• 型号:STL13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:385 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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