M48Z32V-35MT1E技术参数详情：
M48Z32V-35MT1E是ST意法半导体生产的一款256Kb容量非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）。该器件采用32K x 8位的并行架构，提供高达35ns的快速访问时间，其读写性能与标准SRAM无异，同时集成了数据保持机制，无需外部电池即可在断电时永久保存数据。
芯片工作在3V至3.6V电压范围内，采用44引脚BSOP表面贴装封装，工作温度覆盖商业级范围（0°C至70°C）。其核心价值在于将SRAM的高速性与非易失存储的可靠性融为一体，为要求零延迟数据保存和高可靠性的应用提供了理想的存储解决方案。
- 制造商产品型号：M48Z32V-35MT1E
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 44SO
- 产品系列：存储器
- 包装：管件
- 系列：-
- 零件状态：停产
- 存储器类型：非易失
- 存储器格式：NVSRAM
- 技术：NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量：256Kb（32K x 8）
- 存储器接口：并联
- 时钟频率：-
- 写周期时间-字，页：35ns
- 访问时间：35ns
- 电压-供电：3V ~ 3.6V
- 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：44-BSOP（0.337，8.56mm 宽）
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