M48Z35Y-70MH1E技术参数详情：
M48Z35Y-70MH1E是ST意法半导体推出的一款256Kb容量非易失性SRAM（NVSRAM）。该器件采用32K x 8位的并行架构，提供高达70ns的快速访问时间和写周期时间，性能与标准高速SRAM相当，同时具备断电后数据永久保存的能力。
其核心优势在于内部集成了数据备份机制和锂电池，当主电源失效时可自动完成数据保存，无需外部电池维护。器件采用5V供电，工作温度范围为0°C至70°C，封装为带可更换电池插座（SNAPHAT）的28-SOP，便于系统长期使用和维护，主要面向对数据可靠性和存取速度有双重严格要求的应用。
- 型号:M48Z35Y-70MH1E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:28-SOH
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28SOH
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:NVSRAM
- 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量:256Kb
- 存储器组织:32K x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:带 SNAPHAT 插座的 28-SOP（0.350，8.89mm 宽）
- 供应商器件封装:28-SOH
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