M48Z35Y-70MH6E技术参数详情：
M48Z35Y-70MH6E是ST意法半导体生产的一款256Kb容量非易失性静态随机存储器（NVSRAM）。该器件将SRAM的高速读写性能与非易失性数据存储能力相结合，无需外部备份电池即可在断电时自动保存数据。
其核心优势在于70ns的高速访问时间以及并联接口，确保了与微处理器的无缝、高速数据交换。器件采用5V供电，提供工业级温度范围（-40°C至85°C）的可靠性，并通过28-SOP封装集成SNAPHAT插座，便于维护。
- 型号:M48Z35Y-70MH6E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:28-SOH
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28SOH
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:NVSRAM
- 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量:256Kb
- 存储器组织:32K x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:带 SNAPHAT 插座的 28-SOP（0.350，8.89mm 宽）
- 供应商器件封装:28-SOH
- 现在可以订购M48Z35Y-70MH6E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
