M48Z512BV-85PM1技术参数详情：
M48Z512BV-85PM1是ST意法半导体推出的一款4Mb容量NVSRAM（非易失性静态随机存取存储器），采用512K x 8位的并行架构。该器件将高速SRAM与EEPROM技术相结合，在提供85ns快速访问时间的同时，确保了数据的非易失性存储，性能上与标准SRAM无异。
其工作电压为3.3V（3V至3.6V范围），采用32引脚PMDIP通孔封装，工作温度范围为0°C至70°C。核心优势在于掉电时能自动将SRAM中的数据保存至内部非易失单元，上电时自动恢复，无需外部控制器干预，为需要零延迟写入和绝对数据安全性的应用提供了可靠的解决方案。
- 型号:M48Z512BV-85PM1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:32-PMDIP 模块
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32PMDIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:NVSRAM
- 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:85ns
- 访问时间:85 ns
- 电压 - 供电:3V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:32-DIP 模块（0.600，15.24mm）
- 供应商器件封装:32-PMDIP 模块
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