STGW60H65F技术参数详情：
STGW60H65F是ST意法半导体生产的一款650V、120A沟槽场截止型IGBT，采用TO-247-3通孔封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在60A电流下饱和压降典型值仅为1.9V，有效降低了导通损耗，同时其优化的开关特性（开启延迟65ns，关断延迟180ns）有助于提升系统效率并控制电磁干扰。
该器件设计坚固，最大功耗达360W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，能够满足严苛的工业环境要求。其240A的脉冲电流处理能力，使其非常适合用于电机驱动、逆变电源等需要承受瞬时负载冲击的中高功率应用场景。
- 型号:STGW60H65F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，60A
- 功率 - 最大值:360 W
- 开关能量:750J（导通），1.05mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:217 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/180ns
- 测试条件:400V，60A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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