M58WR064EB70ZB6T技术参数详情：
M58WR064EB70ZB6T是STMicroelectronics推出的一款64Mb（4M x 16位组织）并行接口NOR闪存芯片。它采用56-VFBGA表面贴装封装，提供70ns的快速访问时间，支持高达66MHz的时钟频率，适用于需要高速读取和代码就地执行的嵌入式系统。
该器件工作在1.65V至2.2V的宽电压范围，并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在苛刻环境下的数据存储可靠性。其异步并行接口简化了与主流处理器的连接，是工业控制、汽车电子和通信设备等领域中存储固件和关键参数的经典解决方案。
- 制造商产品型号：M58WR064EB70ZB6T
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
- 产品系列：存储器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：停产
- 存储器类型：非易失
- 存储器格式：闪存
- 技术：FLASH - NOR
- 存储容量：64Mb（4M x 16）
- 存储器接口：并联
- 时钟频率：66MHz
- 写周期时间-字，页：70ns
- 访问时间：70ns
- 电压-供电：1.65V ~ 2.2V
- 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：56-VFBGA
- 现在可以订购M58WR064EB70ZB6T，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
