STP17N62K3

STP17N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件的核心优势在于其620V的高漏源电压（Vdss）与较低的导通电阻特性，这使其在高压开关应用中能有效降低导通损耗，提升能效。

其规格参数显示，在壳温条件下可支持15.5A的连续电流，并具备优化的栅极电荷，有助于实现快速的开关速度并简化驱动设计。该器件设计用于高要求的功率转换场景，但需注意其目前已处于停产状态。

• 型号:STP17N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 15.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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