M58WR064ET70ZB6T

M58WR064ET70ZB6T是ST意法半导体生产的一款64Mb并行NOR闪存芯片，采用4M x 16位的存储结构。该器件基于FLASH-NOR技术，提供非易失性数据存储，其核心优势在于高达66MHz的操作频率和70ns的快速访问时间，能够支持处理器高效地从闪存直接执行代码，提升系统响应速度。

芯片工作电压范围为1.65V至2.2V，功耗控制良好，并能在-40°C至85°C的宽温范围内稳定工作，满足工业级应用的环境要求。其采用56-VFBGA小型化封装，适合表面贴装，主要面向需要可靠、高速代码存储的嵌入式系统，如工业控制、通信基础设施和汽车电子等领域。

• 制造商产品型号：M58WR064ET70ZB6T
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：64Mb（4M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：66MHz
• 写周期时间-字，页：70ns
• 访问时间：70ns
• 电压-供电：1.65V ~ 2.2V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：56-VFBGA
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