STP5NK100Z技术参数详情：
STP5NK100Z是意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，专为高压、高效率的开关应用而设计。其核心卖点在于高达1000V的漏源电压（Vdss）与经过优化的低导通电阻特性，这使其在导通期间的功率损耗显著降低。
该器件在10V栅极驱动下具备良好的开关性能，最大栅极电荷（Qg）仅为59nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗。采用TO-220AB封装，支持125W的最大功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级应用中的高可靠性和稳定性。
- 型号:STP5NK100Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 欧姆 @ 1.75A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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