M59DR032EA10ZB6技术参数详情：
M59DR032EA10ZB6是ST意法半导体生产的一款32Mb容量并行接口NOR闪存芯片。它采用2M x 16位的组织架构，提供100ns的快速访问时间和写周期时间，支持直接从芯片执行代码，这对于系统启动和实时应用至关重要。
该器件工作电压范围为1.65V至2.2V，功耗较低，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定运行，确保了广泛的适用性。其采用48-TFBGA表面贴装封装，节省电路板空间，适用于空间受限的嵌入式设计。
- 制造商产品型号：M59DR032EA10ZB6
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 产品系列：存储器
- 包装：托盘
- 系列：-
- 零件状态：停产
- 存储器类型：非易失
- 存储器格式：闪存
- 技术：FLASH - NOR
- 存储容量：32Mb（2M x 16）
- 存储器接口：并联
- 时钟频率：-
- 写周期时间-字，页：100ns
- 访问时间：100ns
- 电压-供电：1.65V ~ 2.2V
- 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：48-LFBGA
- 现在可以订购M59DR032EA10ZB6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
