M68AW256ML70ND6T技术参数详情：
M68AW256ML70ND6T是ST意法半导体生产的一款4Mb容量异步SRAM芯片，采用256K x 16位的存储结构。该器件提供70ns的高速访问时间和写周期时间，并支持2.7V至3.6V的宽电压供电，确保了在要求快速数据读写的嵌入式应用中的性能表现。
其采用44引脚TSOP II表面贴装封装，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，具备良好的工业级环境适应性。这款并行接口SRAM适用于需要高速数据缓冲和临时存储的各类电子系统，如工业控制、通信基础设施和汽车电子等领域。
- 型号:M68AW256ML70ND6T
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:44-TSOP II
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:SRAM
- 技术:SRAM - 异步
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:256K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:44-TSOP（0.400，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装:44-TSOP II
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