M95512-RMB6TG技术参数详情：
M95512-RMB6TG是ST意法半导体生产的一款512Kbit容量串行EEPROM存储器。该器件采用非易失性EEPROM技术，通过高速SPI接口进行通信，最高时钟频率可达20MHz，支持快速数据读写。其供电电压范围宽达1.8V至5.5V，具备优异的兼容性。
芯片提供64K x 8位的存储组织方式，典型页写周期时间为5ms，并拥有高达400万次的写循环耐久性以及超过40年的数据保存期限。其工作温度范围为-40°C至85°C，采用8-UFDFN（MLP）小型化表面贴装封装，适用于对可靠性和空间有要求的工业与消费类应用。
- 型号:M95512-RMB6TG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-UFDFPN（2x3）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC EEPROM 512KBIT SPI 8UFDFPN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:EEPROM
- 技术:EEPROM
- 存储容量:512Kb
- 存储器组织:64K x 8
- 存储器接口:SPI
- 时钟频率:20 MHz
- 写周期时间 - 字，页:5ms
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-UFDFN 焊盘
- 供应商器件封装:8-UFDFPN（2x3）
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