STPSC6H065DLF

STPSC6H065DLF是ST意法半导体生产的一款650V/6A碳化硅肖特基二极管，采用先进的宽禁带半导体技术。该器件的核心优势在于其基于肖特基势垒原理，实现了零反向恢复时间（0ns），彻底消除了传统硅二极管关断时的反向恢复损耗和电流尖峰，这对于提升高频开关电路的效率与可靠性至关重要。

器件在6A额定电流下的典型正向压降为1.55V，确保了较低的导通损耗。同时，其在650V高压下的反向漏电流极小，并采用PowerFlat HV表面贴装封装，兼具优异的电气隔离与散热性能。这些特性使其成为高效率、高功率密度电源设计的理想选择，尤其适用于PFC、太阳能逆变器及电动汽车充电等前沿应用。

• 型号:STPSC6H065DLF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIC 650V 6A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):6A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 6 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:350pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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