MASTERGAN2技术参数详情：
MASTERGAN2是ST意法半导体推出的一款高功率密度、集成了两个600V增强型氮化镓（GaN）晶体管及其驱动器的半桥功率芯片。该器件专为电源应用优化，旨在实现极高的开关频率和效率，从而显著提升系统功率密度。
其核心卖点在于将高性能GaN功率开关与匹配的驱动、保护电路单片集成，解决了高频应用中的驱动和布局挑战。芯片支持3.3V至15V的逻辑供电，工作温度范围为-40°C至125°C，采用表面贴装封装，适用于要求紧凑尺寸和高可靠性的先进电源设计。
- 型号:MASTERGAN2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:31-QFN（9x9）
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电源管理 - 专用
- 描述:HIGH PWR DENS GAN 600V HALF BRI
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 应用:电源
- 电流 - 供电:-
- 电压 - 供电:3.3V ~ 15V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:31-VQFN 焊盘
- 供应商器件封装:31-QFN（9x9）
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