MJD112T4技术参数详情：
MJD112T4是ST意法半导体推出的一款NPN达林顿功率晶体管，采用DPak（TO-252-3）表面贴装封装。该器件集成了达林顿对，旨在提供极高的电流放大能力，其最小直流电流增益（hFE）在2A、3V条件下可达1000，仅需极小的基极驱动电流即可控制高达2A的集电极电流，显著简化了前级电路设计。
该晶体管具备100V的集电极-发射极击穿电压和20W的最大功耗能力，结合其低至20A的集电极截止电流，使其在开关和线性放大应用中兼具良好的耐压性、功率处理效率及低待机功耗特性。其紧凑的封装和高达150°C的工作结温，进一步确保了在空间受限及高温环境下的应用可靠性。
- 型号:MJD112T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3V @ 40mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:20A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 2A，3V
- 功率 - 最大值:20 W
- 频率 - 跃迁:25MHz
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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