STP8NS25FP技术参数详情：
STP8NS25FP是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心规格为250V漏源电压(Vdss)与8A连续漏极电流(Id)，基于MESH OVERLAY技术，实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。
其关键电气参数包括：在10V Vgs、4A Id条件下，导通电阻(Rds(on))最大值为450毫欧；栅极总电荷(Qg)最大值为51.8nC。这些参数共同确保了较低的传导损耗和开关损耗。器件最大功耗为30W，支持高达150°C的结温，提供了可靠的热性能裕量，适用于多种中功率开关应用。
- 型号:STP8NS25FP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:250 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 现在可以订购STP8NS25FP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
