MJD122-1技术参数详情：
MJD122-1是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管，采用TO-251（IPak）通孔封装。该器件集成了两个NPN晶体管，实现了极高的电流放大能力，其集电极最大持续电流为8A，集电极-发射极击穿电压达100V，最大功耗为20W。
其核心卖点在于极高的直流电流增益（hFE最小值为1000 @ 4A, 4V），这使得它能够用极小的基极输入电流控制高达8A的负载电流，极大简化了驱动电路设计。结合150°C的最高工作结温，MJD122-1为需要可靠、高效的中高功率开关或线性放大应用提供了一个紧凑而强大的解决方案。
- 型号:MJD122-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:4V @ 80mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:10A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 4A，4V
- 功率 - 最大值:20 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
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