STULED625技术参数详情：
STULED625是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用通孔I-PAK封装。该器件核心规格包括620V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），适用于高压开关应用。
其关键电气参数经过优化，在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值为1.6欧姆，栅极电荷（Qg）最大值为35nC，实现了低导通损耗与快速开关特性的良好平衡。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和70W的功率耗散能力，确保了其在各类电源转换和电机控制设计中的高可靠性。
- 制造商产品型号：STULED625
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 620V 5A IPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：620V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：5A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I-PAK
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