MJE802技术参数详情：
MJE802是STMicroelectronics推出的一款NPN达林顿功率晶体管，采用TO-126通孔封装。其核心卖点在于结合了高电压与大电流处理能力，具备80V的集射极击穿电压和4A的连续集电极电流，同时凭借达林顿结构实现了极高的电流放大倍数（hFE最小值750@1.5A），能够以极小的输入基极电流驱动较大的负载。
该器件最大功耗为40W，工作结温高达150°C，确保了在功率应用中的鲁棒性和热稳定性。其典型饱和压降为3V@4A，在设计中需予以考虑。这些参数使其成为中功率开关控制、线性放大以及接口驱动应用的经典选择，尤其适用于需要将低功率控制信号转换为高功率输出的场合。
- 型号:MJE802
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-32
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3V @ 40mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:750 @ 1.5A，3V
- 功率 - 最大值:40 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装:SOT-32
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