BULB49DT4技术参数详情：
BULB49DT4是ST意法半导体生产的一款高压、大电流NPN功率双极性晶体管。该器件采用TO-263AB（DPak）表面贴装封装，核心参数包括450V的集射极击穿电压和5A的最大集电极电流，使其能够胜任高电压环境下的功率开关任务。
其关键特性在于优异的功率处理能力，最大功耗达80W，并且在4A电流下的饱和压降仅为1.2V，有助于降低导通损耗。器件工作结温为150°C，配合封装自带的散热片，确保了在高温应用中的可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等功率控制应用的理想选择。
- 型号:BULB49DT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN 450V 5A TO263
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:5 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:450 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.2V @ 800mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:4 @ 7A，10V
- 功率 - 最大值:80 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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