NAND01GW3A2AN6E技术参数详情：
NAND01GW3A2AN6E是STMicroelectronics推出的一款1Gb容量并行接口NAND闪存存储器。该器件采用128M x 8位的组织架构，提供非易失性数据存储，工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V逻辑系统。
其核心性能参数包括30ns的页写入时间和访问时间，支持快速数据操作。器件采用48-TFSOP表面贴装封装，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，适用于工业级嵌入式应用环境，如设备固件存储、系统参数或日志数据保存等场景。
- 型号:NAND01GW3A2AN6E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:30ns
- 访问时间:30 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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