STE70NM50技术参数详情：
STE70NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用ISOTOP封装，核心电气参数包括500V的漏源电压(Vdss)和70A的连续漏极电流(Id)，能够满足高压大功率应用的需求。
其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))低至50毫欧（@30A），这显著降低了功率传导损耗。同时，优化的栅极电荷(Qg)与电容参数有助于实现高效的开关性能。该器件设计支持高达600W的功率耗散，工作结温可达150°C，结合其封装特性，确保了在高热负荷下的可靠运行。
- 型号:STE70NM50
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ISOTOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:600W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 供应商器件封装:ISOTOP
- 封装/外壳:ISOTOP
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