NAND512R3A2AZA6E技术参数详情：
NAND512R3A2AZA6E是ST意法半导体生产的一款512Mb（64M x 8）并行接口NAND闪存存储器。该器件采用1.8V低电压供电（范围1.7V~1.95V），具备60ns的快速页写入与访问时间，能够有效提升数据吞吐效率。
其设计面向工业级应用，支持-40°C至85°C的宽工作温度范围，并采用55-TFBGA表面贴装封装，适合空间受限的嵌入式系统。该芯片为非易失性存储，适用于需要可靠数据存储的各类电子设备。
- 型号:NAND512R3A2AZA6E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:55-VFBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 55VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:60ns
- 访问时间:60 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:55-TFBGA
- 供应商器件封装:55-VFBGA（8x10）
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