NAND512W3A2BN6E技术参数详情：
NAND512W3A2BN6E是ST意法半导体生产的一款512Mb（64M x 8）容量、采用并行接口的NAND闪存存储器。该器件基于非易失性闪存技术，提供可靠的数据存储，其核心规格包括50ns的页写入/访问时间，以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围。
该芯片设计用于在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作，采用48-TSOP表面贴装封装，便于集成到各类嵌入式系统中。其异步并行接口为标准设计，易于与主控制器连接，适用于需要中等容量、成本优化的数据存储解决方案。
- 型号:NAND512W3A2BN6E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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