STP4NB80技术参数详情：
STP4NB80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）和4A连续漏极电流（Id），采用TO-220AB通孔封装，为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为3.3欧姆（@2A），有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大29nC）和输入电容（Ciss）有助于实现快速开关，提升系统频率与效率。器件最高工作结温为150°C，确保了高温环境下的稳定运行。
- 型号:STP4NB80
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 4A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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