PD20015-E技术参数详情：
PD20015-E是ST意法半导体生产的一款N沟道LDMOS射频功率晶体管，采用PowerSO-10RF封装。该器件设计用于高达2GHz的射频应用，能够在13.6V工作电压下提供高达15W的射频输出功率，并具备11dB的典型功率增益，有助于简化驱动级设计。
其核心优势在于结合了高功率处理能力与良好的效率。器件额定电压为40V，连续漏极电流达7A，确保了工作的宽裕度和稳定性。封装底部的裸露焊盘显著优化了散热性能，适合要求高可靠性和紧凑布局的中功率射频放大场景，如专业通信设备和射频能量系统。
- 型号:PD20015-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:2GHz
- 增益:11dB
- 电压 - 测试:13.6 V
- 额定电流（安培）:7A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:350 mA
- 功率 - 输出:15W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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