PD54003-E技术参数详情：
PD54003-E是ST意法半导体推出的一款射频LDMOS功率晶体管，采用PowerSO-10封装，专为高达500MHz的应用频率设计。该器件在7.5V/50mA的典型工作条件下可提供12dB的功率增益，并支持25V的额定工作电压与4A的电流能力，确保其能够稳定输出3W的射频功率。
其核心优势在于将良好的增益特性、中功率处理能力与高效的散热封装相结合。裸露的底部焊盘设计优化了热管理，提升了在连续工作模式下的可靠性。这一系列参数使其成为对效率、线性度和稳定性有要求的专业射频功率放大应用的优选器件。
- 型号:PD54003-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:500MHz
- 增益:12dB
- 电压 - 测试:7.5 V
- 额定电流（安培）:4A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:50 mA
- 功率 - 输出:3W
- 电压 - 额定:25 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:10-PowerSO
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