PD85050S技术参数详情:
PD85050S是ST意法半导体推出的一款采用PowerSO-10RF封装的射频LDMOS功率晶体管。该器件专为高频、高功率应用设计,在870MHz工作频率下,能够于13.6V电压条件下提供高达55W的射频输出功率,并实现约12dB的功率增益,有效简化了驱动级设计。
其核心优势在于结合了高输出功率与优异的线性度,50V的高额定电压确保了工作的可靠性。封装底部的裸露焊盘优化了热管理性能,适用于要求长期稳定运行的基础设施环境。这款晶体管主要瞄准蜂窝通信基站等专业射频功率放大场景,是构建高效、可靠发射链路的理想元件。
- 制造商产品型号:PD85050S
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V POWERSO-10
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 零件状态:有源
- 晶体管类型:LDMOS
- 频率:870MHz
- 增益:12dB
- 电压-测试:13.6V
- 额定电流(安培):1A
- 噪声系数:-
- 电流-测试:500mA
- 功率-输出:55W
- 电压-额定:50V
- 封装:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线)
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