PD54003S-E技术参数详情：
PD54003S-E是ST意法半导体生产的一款N沟道LDMOS射频功率场效应晶体管，采用PowerSO-10封装。该器件核心针对500MHz频率应用优化，能够在7.5V工作电压下提供3W的射频功率输出和12dB的典型增益，具备较强的信号放大能力。
其电气参数显示，该晶体管额定电压为25V，额定电流达4A，测试电流为50mA，平衡了性能与功耗。裸露底部焊盘的封装设计增强了散热效能，适用于对热管理有要求的紧凑型射频功率放大器设计。
- 型号:PD54003S-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:500MHz
- 增益:12dB
- 电压 - 测试:7.5 V
- 额定电流（安培）:4A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:50 mA
- 功率 - 输出:3W
- 电压 - 额定:25 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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