STB28N60DM2技术参数详情：
STB28N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，在600V的漏源击穿电压（Vdss）下，实现了低至160毫欧（典型值，@10V Vgs）的导通电阻，并在25°C壳温下支持21A的连续电流，显著降低了传导损耗。
其设计兼顾了开关性能与易驱动性，最大栅极电荷（Qg）仅为34nC，有助于实现高效率的高频开关操作。器件采用D2PAK表面贴装封装，提供170W（Tc）的强健功率处理能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中追求高可靠性与高能效的理想开关解决方案。
- 型号:STB28N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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