PD54008-E技术参数详情：
PD54008-E是ST意法半导体生产的一款有源LDMOS射频功率场效应晶体管（FET），属于晶体管-FET， MOSFET - 射频系列。该器件设计用于500MHz频率下的高功率射频放大，在7.5V测试电压下可提供高达8W的射频输出功率，并具备11.5dB的典型增益，展现了优异的功率放大效率。
其核心电气参数包括25V的额定电压和5A的额定电流，确保了在严苛工作条件下的高可靠性与充足的功率处理能力。器件采用带裸露焊盘的PowerSO-10封装，有效优化了散热管理，适合需要紧凑布局和高效热性能的射频功率放大器设计。
- 型号:PD54008-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:500MHz
- 增益:11.5dB
- 电压 - 测试:7.5 V
- 额定电流（安培）:5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:150 mA
- 功率 - 输出:8W
- 电压 - 额定:25 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:10-PowerSO
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