STB25NM50N-1技术参数详情：
STB25NM50N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II系列。该器件设计用于高压、高频率的开关应用，其核心优势在于优异的导通电阻与栅极电荷平衡，旨在最大化电源转换效率。
器件额定值为500V漏源电压和22A连续漏极电流（Tc=25°C），采用I2PAK通孔封装。其关键参数包括：在10V Vgs、11A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值为140毫欧；在10V Vgs下，栅极总电荷（Qg）最大值为84nC。这些特性使其能够有效降低导通与开关损耗，适用于要求严苛的工业电源解决方案。
- 型号:STB25NM50N-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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