PD55003STR-E技术参数详情：
PD55003STR-E是ST意法半导体推出的一款射频功率LDMOS晶体管，采用PowerSO-10封装。该器件在500MHz频率下可提供高达3W的输出功率和17dB的功率增益，其工作电压为12.5V，并具备40V的高额定电压，确保了应用的可靠性。
其2.5A的额定电流和优化的热性能封装，使其非常适合用于VHF/UHF频段的功率放大电路，例如专业移动通信设备的驱动级或末级放大。这款晶体管为中等功率射频应用提供了一个在效率、增益和热管理之间取得平衡的解决方案。
- 型号:PD55003STR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:500MHz
- 增益:17dB
- 电压 - 测试:12.5 V
- 额定电流（安培）:2.5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:50 mA
- 功率 - 输出:3W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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