PD55008S-E技术参数详情：
PD55008S-E是ST意法半导体推出的一款采用PowerSO-10封装的射频LDMOS功率晶体管。该器件设计用于高达500MHz的应用频率，在12.5V工作电压下可提供8W的射频输出功率，并具备高达17dB的功率增益，能有效简化驱动级设计。
其核心优势在于40V的高额定电压和4A的额定电流，确保了在严苛工作条件下的高可靠性与鲁棒性。裸露焊盘的封装设计优化了散热性能，使其非常适合要求紧凑布局和良好热管理的VHF频段线性功率放大应用，如专业通信系统与工业射频设备。
- 型号:PD55008S-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:500MHz
- 增益:17dB
- 电压 - 测试:12.5 V
- 额定电流（安培）:4A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:150 mA
- 功率 - 输出:8W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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