STD7N65M6技术参数详情：
STD7N65M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh M6技术制造，封装形式为DPAK。该器件核心特性包括650V的高漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），为离线电源应用提供了坚实的电压和电流处理能力。
其关键优势在于优异的导通性能，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为990毫欧，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值6.9nC）和输入电容（Ciss，最大值220pF）确保了快速、高效的开关行为，非常适合高频开关电源设计，能够有效提升系统整体能效和功率密度。
- 型号:STD7N65M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-252（DPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 现在可以订购STD7N65M6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
