PD55008TR技术参数详情：
PD55008TR是ST意法半导体推出的一款射频功率LDMOS晶体管，采用PowerSO-10封装。该器件设计用于500MHz及以下频段，在12.5V工作电压下可提供高达8W的射频输出功率，并具备17dB的典型功率增益，适合作为VHF频段功率放大器的核心放大单元。
其40V的额定电压和4A的额定电流确保了良好的工作裕度和鲁棒性。封装底部的裸露焊盘优化了热性能，便于散热设计。该器件主要面向专业通信、工业射频发射等需要中等功率、良好线性度的应用场景。
- 型号:PD55008TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:500MHz
- 增益:17dB
- 电压 - 测试:12.5 V
- 额定电流（安培）:4A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:150 mA
- 功率 - 输出:8W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:10-PowerSO
- 现在可以订购PD55008TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
