STB140N4F6技术参数详情：
STB140N4F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F6产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在40V的漏源电压（VDSS）规格下，实现了高达80A（TC）的连续漏极电流处理能力，并具备优异的低导通电阻特性。
其设计针对高效率开关应用进行了深度优化，支持低至4.5V的逻辑电平驱动，便于与微控制器直接接口，简化系统设计。采用D2PAK（TO-263）表面贴装封装，提供了168W（TC）的强大功率耗散能力，确保了在高功率密度应用中的热可靠性和长期稳定性。
- 制造商产品型号：STB140N4F6
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：STripFET F6
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：168W（Tc）
- 工作温度：-
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：D2PAK
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