PD55025STR-E技术参数详情：
PD55025STR-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率场效应晶体管（FET），属于晶体管-FET， MOSFET - 射频系列。该器件设计用于高达500MHz的应用频率，在12.5V工作电压下可提供25W的射频输出功率，并具备14.5dB的功率增益，能够有效驱动后级电路。
其核心电气参数包括40V的额定电压和7A的额定电流，确保了在高压大电流工作条件下的可靠性。器件采用带裸露底部焊盘的PowerSO-10封装，该设计优化了热管理性能，有助于耗散功率放大过程中产生的热量，适用于需要高功率密度和良好散热能力的射频系统设计。
- 型号:PD55025STR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:500MHz
- 增益:14.5dB
- 电压 - 测试:12.5 V
- 额定电流（安培）:7A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:200 mA
- 功率 - 输出:25W
- 电压 - 额定:40 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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