STWA88N65M5技术参数详情：
STWA88N65M5是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于先进的MDmesh V产品系列。该器件设计用于高压、大电流的开关应用，其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。
它提供650V的漏源电压额定值和高达84A的连续漏极电流能力。关键特性包括极低的导通电阻（29mΩ @ 10V, 42A）以及优化的低栅极电荷（204nC @ 10V），这共同确保了在运行中具有更低的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。器件采用TO-247封装，最大结温为150°C，适合要求高可靠性的工业与能源领域。
- 型号:STWA88N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 84A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 42A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:204 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8825 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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