PD55035STR-E技术参数详情:
PD55035STR-E是ST意法半导体生产的一款射频功率LDMOS晶体管,采用PowerSO-10封装。该器件设计用于高达500MHz的应用频率,能够在12.5V工作电压下提供35W的射频输出功率,并具备40V的高额定电压和7A的电流处理能力。
其核心优势在于高达16.9dB的功率增益,这显著降低了前级驱动要求,并优化了系统效率。裸露焊盘的封装设计增强了散热性能,适用于需要高可靠性和良好热管理的射频功率放大场景。
- 制造商产品型号:PD55035STR-E
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 零件状态:不用於新
- 晶体管类型:LDMOS
- 频率:500MHz
- 增益:16.9dB
- 电压-测试:12.5V
- 额定电流(安培):7A
- 噪声系数:-
- 电流-测试:200mA
- 功率-输出:35W
- 电压-额定:40V
- 封装:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 现在可以订购PD55035STR-E,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。