STD6N52K3技术参数详情：
STD6N52K3是ST意法半导体推出的一款采用SuperMESH3技术的N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其525V的高漏源电压（Vdss）与仅1.2欧姆的低导通电阻（Rds(on)）的良好结合，在提供强大电压阻断能力的同时，有效降低了导通损耗。
其5A的连续漏极电流（Id）额定值和70W的功率耗散能力，配合150°C的最高工作结温，确保了在紧凑设计下的高功率处理能力和可靠的热性能。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的中压功率开关应用的理想选择，例如开关电源和电机控制。
- 型号:STD6N52K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:525 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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