PD57006S-E技术参数详情：
PD57006S-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率晶体管，属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列。该器件核心卖点在于其在945MHz频点提供高达6W的射频输出功率，并具备15dB的功率增益，适用于要求中等功率放大的射频系统前端或驱动级。
其采用65V高额定电压设计，确保了良好的耐压余量和稳定性，典型工作条件为28V/70mA。器件采用带裸露焊盘的PowerSO-10封装，显著优化了散热性能，适合持续功率工作模式。这些参数共同定义了一款专注于功率处理能力与可靠性的射频功率解决方案。
- 型号:PD57006S-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:945MHz
- 增益:15dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:1A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:70 mA
- 功率 - 输出:6W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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