PD57018STR-E技术参数详情：
PD57018STR-E是ST意法半导体生产的一款有源LDMOS射频功率晶体管，属于晶体管-FET，MOSFET-射频系列。该器件核心设计针对945MHz频段优化，在28V工作电压下可提供高达18W的射频输出功率，功率增益达到16.5dB，实现了高效率的能量转换与信号放大。
其65V的高额定电压和2.5A的额定电流确保了器件在严苛工作条件下的可靠性与耐用性。采用带裸露焊盘的PowerSO-10封装，为高功率应用提供了有效的散热路径，是专业无线通信系统中功率放大级的优选解决方案。
- 型号:PD57018STR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:945MHz
- 增益:16.5dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:2.5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:100 mA
- 功率 - 输出:18W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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