STS8N6LF6AG技术参数详情：
STS8N6LF6AG是ST意法半导体生产的一款N沟道MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。作为通过AEC-Q101认证的Automotive级STripFET F6系列成员，它提供了60V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id）处理能力，专为应对汽车电子环境的严苛要求而设计。
该器件的核心优势在于其优异的导通特性与开关性能。其在10V Vgs下的最大导通电阻（RdsOn）仅为24毫欧（@4A），能显著降低导通损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）低至27nC（@10V），有助于实现快速开关并减少驱动损耗，提升整体电源效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了在高温环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STS8N6LF6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1340 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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