STGF15M65DF2技术参数详情：
STGF15M65DF2是ST意法半导体推出的一款650V / 30A沟槽栅场截止型单管IGBT，采用TO-220-3封装。该器件在15A电流下典型饱和压降仅为2V，具备优异的导通性能，同时其开关能量（开通90J，关断450J）和快速的开关时间确保了在高频应用中的高效运行。
其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和60A的脉冲电流能力，赋予了它出色的鲁棒性与过载承受力。标准输入特性和45nC的栅极电荷使其驱动设计简便。这些特性使其成为工业电机驱动、UPS、光伏逆变器等中功率转换应用的可靠解决方案。
- 型号:STGF15M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-220FP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A
- 功率 - 最大值:31 W
- 开关能量:90J（导通），450J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:45 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:24ns/93ns
- 测试条件:400V，15A，12 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):142 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220FP
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