PD84008L-E技术参数详情：
PD84008L-E是ST意法半导体生产的一款采用LDMOS技术的射频功率FET，核心设计针对870MHz频段的应用优化。该器件在7.5V工作电压下可提供2W的射频输出功率，并具备15.5dB的高增益，能有效提升发射链路的信号强度。
其额定电压高达25V，最大连续漏极电流为7A，展现了强大的功率处理能力。采用热性能优异的8-PowerVDFN封装，在紧凑的空间内实现了高效的功率输出与散热平衡，适用于需要高功率密度和可靠性的射频功率放大场景。
- 型号:PD84008L-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFLAT（5x5）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERFLAT
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:870MHz
- 增益:15.5dB
- 电压 - 测试:7.5 V
- 额定电流（安培）:7A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:250 mA
- 功率 - 输出:2W
- 电压 - 额定:25 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
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